Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ds.knu.edu.ua/jspui/handle/123456789/3496
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorChernikova, Olena-
dc.contributor.authorЧернікова, Олена Миколаївна-
dc.contributor.authorЧернікова, Елена Николаевна-
dc.contributor.authorOgorodnik, Y. V.-
dc.contributor.authorProkopiv, V. V.-
dc.date.accessioned2021-07-21T10:17:43Z-
dc.date.available2021-07-21T10:17:43Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationChernikova O. M. Ab-initio Calculation Study of Electronic Band Structure of CdTe with Low-index Surface / O. M. Chernikova, Y. V. Ogorodnik, V. V. Prokopiv // Journal of Nano- and Electronic Physics. – Vol. 13, no. 3, 03041. – P. 1–5. – DOI: 10.21272/jnep.13(3).03041.uk_UA
dc.identifier.issn2077-6772-
dc.identifier.issnE-ISSN:2306-4277-
dc.identifier.urihttp://ds.knu.edu.ua/jspui/handle/123456789/3496-
dc.description.abstractIn this paper, the electronic properties of CdTe (100) films without impurities and with the addition of O2 molecules were investigated based on calculations from first principles. It was found that when the oxygen concentration increases from 8 to 14 %, the O2 molecule passes the energy barrier more easily, which indicates an increase in the catalytic activity of the CdTe film. Since oxygen affects the catalytic process, we recorded the movement of the band gap depending on the oxygen concentration. According to the calculated results of the study of small diatomic and triatomic clusters (Te, Cd), we found that the inclusion of oxygen atoms or atoms of other kinds in small clusters (Te, Cd) affects the catalytic activity of the studied systems as a whole.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherSumy State Universityuk_UA
dc.subjectab-initio calculationuk_UA
dc.subjectcatalysisuk_UA
dc.subjectsurfaceuk_UA
dc.subjectenergyuk_UA
dc.subjectband gapuk_UA
dc.titleAb-initio Calculation Study of Electronic Band Structure of CdTe with Low-index Surfaceuk_UA
dc.title.alternativeДослідження розрахунку аb-initio електронної структури CdTe з низькою індексною поверхнеюuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
local.submitter.emaildspace_knu@knu.ed...uk_UA
Розташовується у зібраннях:Кафедра фізики
Наукові статті

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Chernikova O. M. Ab-initio Calculation Study of Electronic Band Structure of CdTe with Low-index Surface.pdf836.51 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.